aln烧结

AlN陶瓷高压烧结与热压烧结类似,只不过施加的外来压力更高,一般称在大于1GPa高压下进行的烧结为高压烧结。 其不仅能够使材料迅速达到高致密度,具有细小晶粒,甚使晶体结构甚原子、电子状态发生变化,从而赋予材料在通常烧结或热压烧结工艺下所达不到的性能。

本文以AlN和玻璃碳为原料,以Y2O3作烧结助剂,采用热压烧结工艺制备了AlN-玻璃碳复相微波衰减材料,研究Y2O3含量对试样的烧结性能、显微结构、导热性能等的影响。

电子封装用AlN烧结工艺及机理_材料科学_工程科技_专业资料 549人阅读|27次下载 电子封装用AlN烧结工艺及机理_材料科学_工程科技_专业资料。学位论文性声明 学位论文性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。

由于AlN高热导率、极强的耐热性、低介电常数和损耗、与 Si 匹配的线膨胀系数等一系列优良特性,被视为有发展前景的新一代优良绝缘散热基片材料。若想制备出高导热的AlN陶瓷,需要添加适当的烧结助剂。常见的AlN陶瓷助烧剂有：Y2O3、CaCO3

AlN 陶瓷 0909404045 糜宏伟 摘要：氮化铝陶瓷的结构性能,制备工艺即粉末的合成,成形,烧结几个方 面详细介绍了氮化铝陶瓷的研究状况, 指出低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶瓷 的复杂形状成形技术是目前很有价值的氮化铝陶瓷的研究方向。

【摘要】：利用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺研究了燃烧合成法制备的2种具有不同形貌的AlN粉以及1种碳热还原氮化法制备的市售亚微米级AlN粉的烧结性能、致密化机理以及导热性能。结果表明:燃烧合成法制备的AlN纳米晶须状粉末具有与亚 ...

本发明涉及的是一种高温共烧氮化铝（AlN）陶瓷的烧结方法,属于电子陶瓷技术领域,主要应用于多芯片组件（MCM）和大功率陶瓷基板及外壳等领域。背景技术高温共烧陶瓷（HTCC）按照材料体系可分为氧化铝和氮化铝等。氮化铝高温共烧陶瓷的主要优点是热导率高、机械强度高、电性能好、无毒 ...

AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究_专业资料。采用两组复合烧结助剂Y2O3-CaF2,Y2O3-CaF2-Li2CO3在1600℃烧结AlN陶瓷,对AlN陶瓷烧结密度,热性能和电性能进行了测试,并分析了AlN陶瓷物相变化和微观结构。

AlN可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望

表 2 烧结曲线优化前后 AlN 陶瓷基片主要性能 Table 2 Main performance of AlN ceramic substrate before and after optimization of sintering curve 翘曲度/‰ 热导率/(W·m-1·K-1) 强度/MPa 密度/(g·cm-3) 介电损耗× 10-3 试 样 前 后 前 后 前 后 前 后 前 后 1 10 1

采用无压烧结工艺制备了SiC-AlN复相陶瓷材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜和激光导热仪对材料的晶相、微结构和导热性能进行了综合研究。实验发现,烧结体的密度和AlN的添加量有关。在AlN添加量低于10%(质量比)时,烧结体的相对密度随着AlN ...

Cheng等运用微波法烧结AlN陶瓷,以微量的Y2O3为助烧剂,在1900℃下保温30min,密度高达99.5%。 （3）碳化物陶瓷 碳化物陶瓷的突出特点是高熔点、高硬度,并且有良好的导电和导热性能,但高温下易氧化,主要的碳化物陶瓷有SiC、B4C、TiC、WC

传统流延成型工艺所制备出的浆料固相体积含量较低,加上干燥阶段中部分有机溶剂的挥发,极易导致素坯中孔隙率的增加从而使坯体结构疏松化,弱化后期烧结效果,难以制备出高致密度、高导热AlN陶瓷基片。 AlN…

由于添加氧化物,会引入氧杂质,不利于 AlN基板的热学性能与机械性能的提高,如CaC 2 助烧剂与 AlN反应改变AlN与液相的界面自由能,影响AlN晶粒的生长和致密化。 图2为不同烧结助剂对AlN陶瓷的密度和抗弯强度的影响。 图 2 不同烧结助剂对烧结AlN陶瓷密度和抗弯强度的影响

因此,烧结AlN 陶瓷过程中,应 尽可能使相位于三叉晶界处,为此,可以通过改善 烧结工艺来实现,如提高烧结温度、延长保温时间、 热处理等。 另外, 烧结过程中引入的烧结助剂与AlN 粉体中的 Al2O3 发生反应,形成低热导率的晶界相(如 Y3Al5O12的热导率仅为11W/ (m ·K) ) 。

图 2 Ti-Al-Al 2O 3 粉体的烧结性能 Fig. 2 Relative densities of the Ti-Al-Al 2O 3 powders of different contents at different sintering temperatures 2. 3 材料的力学性能 图3( a) 是20 wt% (AlN, TiN) -Al 2O 3 在不同温 度烧结后的硬度值, 结果表明, 该配比在

除了AlN晶格缺陷对其热导率的影响外,晶粒尺寸、形貌和晶界相的含量及分布对AlN陶瓷热导率也有着重要影响。晶粒尺寸越大,声子平均自由度越大,烧结出的AlN陶瓷热导率越高,但根据烧结理论,晶粒越大,聚晶体陶瓷越难烧结。