陈治明碳化硅

碳化硅 市场 美国北卡罗来纳州 商业同业公会 颜色分级 宝石鉴定 诈骗集团 光学效应 天然宝石 莫依桑...碳化硅 欧姆接触 刻蚀成型 【摘要】:以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率等特点,特别

硅电力电子器件碳化硅功率二极管外延材料MOSFET单晶材料Si器件技术硅器件单晶衬底宽禁带半导体...碳化硅衬底超精密加工技术 袁铁军 张红蕾 张广冬 【摘要】:通过对比不同的加工方法获得工艺:切片采用多线切割或者多线切割与超声切割相结合磨削采用双面研磨获得

碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题 作者:陈治明 关键词:碳化硅,电力电子,器件 1引言 借助于微电子技术的长足发展,以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应...因此, 包 含微波电源在内的电力电子技术有可能从碳化硅材 料的实用化得到的好处, 不仅仅是使用碳化硅功 陈治明 男, 1945 年出生, 教授, 博士生

2.探索了碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管的HPM限幅方案,通过PSpice程序仿真,研究了其防护HPM的性能。仿真结果表明:微波限幅器使用SiC宽带隙半导体材料后,在防护功率范围和...而使反向漏电流大幅从 E期 陈治明 Z 碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展 C% E "$% 度下降 ! # " &') 与单纯肖特基势垒二极管一样 $ 仍 (* 然是

作者: 陈治明,李守智著 出版社:机械工业出版社 版次:1 印次:1 印刷时间本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性...蕈十一■士■他t阜●I、t毫件和走电件攀术◆戗 广I蠢膏2∞6年11月 碳化硅单晶体的切片、研磨和抛光? 陈勇臻陈治明'西安理工大学电子工程系,西安710048

纳米碳化硅 粉末电极 检测 铂催化剂 导电剂 石墨化 电化学 中国硕士学位论文全文数据库 前1条 1 郑志远βSiC薄膜制备及特性研究[D]河北大学2002年...杨莺 陈治明 陈勇臻 【摘要】:正碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,由于其的性能,可用于制作工作在极限条件下的半导体器件和电路,例如在高频、高温、大功率等

碳化硅材料具有优越的电性能,如高的击穿电场,高的电子饱和速度,大的热导率使其在功率器件方面具有很大的潜力,近年来引起人们的高度关注。 本文将从材...但是,由于SiC制备难度大、成本高,市场上还没有较为成熟的晶体生长工艺装备。本封先锋,陈治明,蒲红斌, CN 被引量: 0 加载更多来源 西安理工大学

碳化硅材料少数载流子寿命层电阻新型产品低电阻开路电压导通电阻日本大学终结构表面钝化...本文是免费的与碳化硅表面高温改性法热场模拟有关的参考文献和数篇碳化硅坩埚相关免费毕业论文范文及石墨板相关论文题目和石墨坩埚有关的开题报告写作参考资料。

碳化硅 晶闸管 SilvacoTCAD 直流输电 换流阀 PSCAD/EMTDC 损耗 终通过理论计算和仿真确定了40kV碳化硅晶闸管各层厚度与掺杂浓度,并对器件的静态和动态特性进行...第33卷第6期 人工晶体学报 Vol.33 No.6 004年1月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS December004 高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构董 捷胡

内容包括:半导体物理基础,电力电子器件的基本原理、特性及典型器件,电力电子器件的材料优选,碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率...碳化硅晶体生长设备的研制.pdf,西安理工大学 硕士学位论文 碳化硅晶体生长设备的研制 姓名:李留臣 申请学位级别:硕士 专业:电气工程 指导教师:陈治明

西安理工大学硕士学位论文碳化硅晶体生长设备的研制姓名:李留臣申请学位级别:硕士专业:电气工程指导教师:陈治明000101摘要摘要随着信息化社会和现代科...陈治明 【摘要】:评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率

电力电子IGBT器件的损耗分析及碳化硅器件介绍 南京信息工程大学 信息与控制学院 电气[1]徐德鸿,陈治明,李永东,康永,阮新波编著.现代电力电子学[M]...关键词: SiC晶片 线切割 研磨 抛光 作者: 陈勇臻 陈治明 作者单位: 西安理工大学电子工程系,西安,710048 母体文献: 第十四届全国化合物半导体材料

碳化硅 光发射器件 场效应晶体管 【摘要】:本文概述了宽禁带半导体碳化硅的电学特性、结晶多型体和能带结构,较全面地总结了碳化硅晶体的生长方法和薄膜制备工艺,并...7 SiC半导体材料与器件(1)田敬民《半导体》 8 SiC晶闸管的光触发可行性刘文涛 陈治明《电力电子技术》 9 碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展周才能 岳瑞峰

碳化硅 远红外加热 辐射能 远红外技术 硅元件 转换效率 节电效果 电热丝 升温速率 节能新技术...碳化硅 机械抛光 化学机械抛光 表面质量 材料去除率 以碳化硅(SiC)单晶为代表的第三代半导体材料是一种重要的新型宽禁带半导体材料,通过外延可以作为生长氮化镓(GaN

【摘要】: 半绝缘SiC由于其宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度、高热导率等优良特性,使其非常适合作为大功率光导开关的基体材料。其中,4HSiC的临界...6 方方李玲钮应喜杨霏碳化硅表面悬挂键的性原理研究[A]第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集[C]2015年 7 陈治明碳化硅电力电子器件研发进

冯锡淇, 骆宾章 目录 升华外延碳化硅pn结的性质 冯锡淇, 骆宾章 物理学报. 1980, 169(1): 110. doi: 10.7498/aps.29.1. 2607...六方碳化硅 电子辐照 深能级缺陷 正电子湮灭 5 杨莺陈治明陈勇臻碳化硅晶体缺陷的研究[A]第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C]2007年 6 张磊

【摘要】:碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热4 陈治明碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题[A]中国电工技术学会电力电子学会...碳化硅 同质外延 化学气相淀积 缺陷 【摘要】: 本文对同质外延碳化硅单晶材料的生长机理和生长层的表征方法进行了研究。研究了n型4HSiC当磁场平行于生长轴且电

碳化硅 制造装备 宽禁带半导体 【摘要】:当前碳化硅产业的快速发展对装备国产化提出了更高的要求>袁吕军 >于开坤 >郑有 >欧东斌 >赵世玺 >陈治明快捷...综述SurveyLecture《电力电子》2007年4期碳化硅功率器件及其应用的研发进展TheRecentDevelopmentalProgressonSiCPowerDevicesandItsAppliions

论文作者签名弛导师签名 忿芝' 渺伍年莎月咖a 摘要论文题目:学科:作者:导师:碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制微电子学与固体电子学林生晃签名...5 杨莺陈治明陈勇臻碳化硅晶体缺陷的研究[A]第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C]2007年 6 张磊玉芳冯敏曹学伟扶手椅型碳化硅纳米管电子结