固态装配谐振器 SMR

的谐振器,测得其有效机电耦合系数为4.081%,回波损耗(S11)为 23:89 dB。这种SMR机械强度高、可靠性 高、尺寸小,具有可立体集成到CMOS芯片...薄膜体声波谐振器及滤波器具有工作频率高、工艺简单、尺寸小、易于集成等优点,成为目前应用于高频通信前置滤波器的。本文系统介绍了用于薄膜体声波谐振器的几种主要材料(A1N、ZnO、PZT)的具体特点、制备工艺及薄膜体声波谐振器与滤波器的结构、设计及其应用。

BAW谐振器应用了MEMS工艺,以便将石英晶体的工作机理扩展到更高频率。压电层的典型厚度在几个微米或更低。压电层可以驱动一个...第2期 陈振雄等：基于FBAR 谐振器件的CMOS 振荡电路特性比较 323 2017 年,Hassan 利用品质因子为500 的固态装配谐振器(Solidly Mounted Resonators,SMR)制作了一个相位噪声 为-126.85 dBc/Hz@1 MHz、振荡频率为1.75 GHz的振荡器[5]；2017 年,Arantxa利用品质因子为1 200的声表面

这种类型的BAW被称为固态装配谐振器（SMR）。 鲁棒性而言,SMR比膜结构的BAW要好很多。 在划片和装配所需的各种标准工序中,没有机械损坏的风险...固态装配型（SMR）BAW滤波器,它借用光学中的布拉格层技术,在谐振器底电极下方制备高、低交替的声阻抗层,从而将声波限制在压电堆之内。 布拉格反射层一般采用W和SiO2作为高低声学阻抗层,因为W和SiO2之间的声学阻抗值相差较大,而且这两种材料都是标准CMOS工艺常用的材料。

通过建立固态装配谐振器(SMR)模型,考虑硅衬底的声学损耗,从压电理论出发,仿真分析了不同布喇格层数对SMR的谐...这种类型的 BAW 被称为固态装配谐振器（SMR）。 鲁棒性 而言, SMR 比膜结构的 BAW 要好很多。 在划片和装配所需的各种标准工序中, 没有机械损坏的风险。 压电层和电极层上受到的层压力也不会造成问题。 对需要有很大功率承受能力的 BAW ...

这种类型的BAW被称为固态装配谐振器（SMR）。 鲁棒性而言,SMR比膜结构的BAW要好很多。在划片和装配所需...它们都是由介质谐振器制成的,因此,归根到底,微波电路的全集成化,极大地依赖于微波介质谐振器材料的开发。 微波是指从300MHz到3OGHz之间的频段。 划分为UHF,L,S,X,Ku等波段,相应于0.3～1、1～2、3～4、4～8、8～12GHz直到毫米波。

压电谐振器的阻抗-频率响应特性中有两个十分重要的频率点,即串联 谐振频率fs和并联谐振频率fp。当压电谐振器处于串联谐振频率f,时谐...该种之卜,免除了CMP丁艺步骤,极L人地提高 类型的FBAR又被称为固态装配谐振器（sMR）。其nJ。行性。 其典型的制备流程为在清洗十净的硅衬底 L｛－通常情况下高、低声阻抗材料为w和 Si02两种．卜依次生长牺牲材料膜层、支撑膜 ...

基于CMOS工艺的高性能射频滤波器：体声波滤波器BAW - 全文-体声波（BAW）和薄膜腔声谐振器（FBAR）滤波器被分别用来替代移动电话中的传统射频...【摘要】：通过建立固态装配谐振器(SMR)模型,考虑硅衬底的声学损耗,从压电理论出发,仿真分析了不同布喇格层数对SMR的谐振性能的影响。仿真结果表明,由于布喇格层对声波的有效反射,减少了声能在衬底的损耗和衬底造成的杂散谐振,使SMR的品质因数得到很大提高;用Si3N4和SiO2作为布喇格层材料,要 ...

体声波（BAW）和薄膜腔声谐振器（FBAR）滤波器被分别用来替代移动电话中的传统射频滤波器,因为目前其性能已超过表面...图1.2（c）为固态装配型（SMR）谐振器。这种器件结构采用布拉格反射层将声 波限制在压电振荡堆之内,布拉格反射层采用高低阻抗交替的声学层。声波在在反射 层中两种不同阻抗的声学层界面上发生多次反射,形成驻波。

薄膜体声波滤波器的材料、设计及应用详细解析-随着现代无线通信技术向高频、高速方向的发展,人们对高频通信常用的前置滤波器提出了...这种类型的 BAW 被称为固态装配谐振器 （SMR）。鲁棒性而言,SMR 比膜结构的 BAW 要好很多。在划片和装配 所需的各种标准工序中,没有机械损坏的风险。压电层和电极层上受到的层 压力也不会造成问 …

其中一种类型的BAW谐振器是固态装配型谐振器(solidly mounted resonator,SMR)。SMR使用布拉格声学反射器反射声波。用低声学...il 十低、高声阻抗膜层分别交替堆叠的结构卜,该种 类型的FBAR又被称为固态装配谐振器（sMR）。其 L｛－通常情况下高、低声阻抗材料为w和Si02两种 膜层,它们的声同i抗分别为lO．56107kg／m！ S和 l_25107kg／m2S。 在SMR的 ...

通过建立固态装配谐振器（SMR）模型,考虑硅衬底的声学损耗,从压电理论出发,仿真分析了不同布喇格层数对SMR的谐振...其他类型的 BAW 滤波器包括 FBAR（薄膜体声波谐振器）和 BAW-SMR（固态装配谐振器 BAW）设备,其中包括能够很好地捕获声波并产生高声能的附加微结构——因而在微波频率和相同尺寸的条件下,此类滤波器的 Q 值要高于任何其他的滤波器。

固贴式薄膜体声波谐振器用材料体系研究进展 刘 罡, 朱嘉琦, 赛, 陆晓欣, 刘远鹏, 霍施宇, 袁欣薇 (哈尔滨工业大学 复合材料与结构研究所, 哈尔...1965 年由 Newell 制备出固态 装配型谐振器[13],紧接着在 1967 年 Sliker 等又研制出基于 CdS 薄膜的谐振器 [14], 1980 年 Lakin 和 Wang 实现了在 Si 衬底上制备谐振频率达到 500MHz 的基 于 ZnO 薄膜的谐振器[15],在此之后的 1990 年,Krishnaswamy

其他类型的BAW滤波器包括FBAR（薄膜体声波谐振器）和BAW-SMR（固态装配谐振器BAW）设备,其中包括能够很好地捕获声波并产生高声能的附加微结构...过去几年中,随着射频集成电路技术和系统结构的发展,移动电话中射频部分的很多分立器件已被替换。为明显的是接收机中分立的低噪声放大器（LNA）和中频（IF）滤波器已经被集成到射频集成电路中。可以预期各射频模块将逐步被集成到标准BiCMOS或CMOS集成电路中,但还是有几类射 …

在固态装配型谐振器（SMR）方面,论文采用上述模型分析了四分之一波长布拉格反射栅对其谐振特性的影响,得到了S...